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    朗科發(fā)布新款閃存盤(pán)U217 讀寫(xiě)速度大幅提升
2009年09月03日 14:59 來(lái)源:中國(guó)新聞網(wǎng) 發(fā)表評(píng)論  【字體:↑大 ↓小

  中新網(wǎng)9月3日電 日前,全球移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商朗科公司發(fā)布的一款新品閃存盤(pán)U217引起了人們的廣泛關(guān)注。它的連續(xù)讀寫(xiě)速度達(dá)到了32MB/sec、21MB/sec,隨機(jī)讀寫(xiě)速度達(dá)到了32MB/sec、12MB/sec,后者更是全球著名品牌同類產(chǎn)品的4倍左右。

  據(jù)悉,2008年閃存盤(pán)產(chǎn)品平均讀寫(xiě)速度在10MB/sec左右(說(shuō)明:一般讀為12~18,寫(xiě)5~8),而這一速度通常指的是連續(xù)讀寫(xiě)大小達(dá)100MB以上的單一文件的速度,如果將幾十上百個(gè)文件存放在一個(gè)文件夾中,然后拷貝這一文件夾,其拷貝速度將急劇下降4~5倍,只有1~3MB/sec左右——這就是隨機(jī)寫(xiě)速度。

  “朗科U217的最大設(shè)計(jì)容量為128GB,這對(duì)閃存盤(pán)來(lái)說(shuō)是一個(gè)全新的時(shí)代,這個(gè)時(shí)代對(duì)讀寫(xiě)速度的要求與以往截然不同!庇袠I(yè)內(nèi)分析人士表示,它不僅要求閃存盤(pán)的連續(xù)讀寫(xiě)速度要足夠快,還要求其隨機(jī)讀寫(xiě)速度也能跟上“擴(kuò)容”的步伐。

  朗科U217通過(guò)獨(dú)特的技術(shù)手段,成功地將閃存盤(pán)隨機(jī)寫(xiě)速度提高到12 MB/sec,是全球第一款成功跨越百GB容量速度門(mén)檻的閃存盤(pán)。

  據(jù)悉,朗科三大閃存技術(shù)主要通過(guò)“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和nSpeed提速技術(shù)”三種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)速度的顯著提升。其中,新的閃存控制技術(shù)可以讓閃存盤(pán)讀寫(xiě)速度提高30~40%。而雙通道技術(shù)則直接將閃存盤(pán)的讀寫(xiě)技術(shù)提高到兩倍。

  尤其值得一提的是nSpeed技術(shù)。據(jù)朗科技術(shù)人員介紹,當(dāng)前的操作系統(tǒng)都是針對(duì)傳統(tǒng)硬盤(pán)設(shè)計(jì)的,包含很多優(yōu)化傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)的機(jī)制。而這些優(yōu)化機(jī)制對(duì)閃存盤(pán)是無(wú)效甚至有害,從而使閃存盤(pán)不能100%地發(fā)揮出應(yīng)有的性能。

  “朗科nSpeed加速技術(shù)正是為優(yōu)化閃存盤(pán)性能而誕生,它在目前的操作系統(tǒng)下,使閃存盤(pán)成功突破主機(jī)端的限制,將閃存的讀寫(xiě)速度垂直飆升!崩士葡嚓P(guān)技術(shù)人員表示。

  IT產(chǎn)業(yè)總是以一款新產(chǎn)品來(lái)標(biāo)志一個(gè)時(shí)代的開(kāi)始,比如P4、winXP,液晶顯示器、甚至光電鼠、無(wú)線鼠標(biāo)……,有行業(yè)人士表示;“就具備實(shí)用價(jià)值的百GB容量的閃存盤(pán)來(lái)說(shuō),朗科U217似乎也扮演了類似的角色”。

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直隸巴人的原貼:
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